半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法。该方法包括：在硅区和绝缘膜上方形成金属膜；在含有氧作为主要成分的氧气氛下实施第一热处理，以通过使金属膜与硅区反应而在硅区中形成第一硅化物膜，以及同时通过从金属膜的表面侧对金属膜的整个表面进行氧化来形成金属氧化物；以及使用化学制品来选择性地去除金属氧化物和未反应的金属膜。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括在通过绝缘膜隔离的且包含硅作为主要成分的硅区中的硅化物膜，所述制造方法包括：在所述硅区和所述绝缘膜上方形成金属膜；在含有氧作为主要成分的氧气氛下进行第一热处理，以通过使所述金属膜和所述硅区进行反应而在所述硅区中形成所述硅化物膜，并且同时通过从所述金属膜的表面侧对所述金属膜的整个表面进行氧化来形成金属氧化物膜；以及使用化学溶液来选择性地去除所述金属氧化物膜和未反应的所述金属膜。