发明名称 |
成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置 |
摘要 |
本发明提供一种成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置,其谋求降低膜厚的同时不需要蚀刻工序且谋求低成本化,并且具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面。成膜基板(1)为具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板,其凹凸结构通过成膜含氧化铟的薄膜层(3)而形成。另外,成膜基板(1)的制造方法为制造具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板(1)的方法,该制造方法具有薄膜工序,所述薄膜工序为如下工序:在被成膜基板(2)表面成膜含氧化铟的薄膜层(3),并通过进行该成膜形成凹凸结构。由此,不需要用于形成凹凸结构的蚀刻工序,且谋求低成本化,并通过设成含氧化铟的透明导电膜(3)来降低膜厚。 |
申请公布号 |
CN102208460A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110055790.X |
申请日期 |
2011.03.08 |
申请人 |
住友重机械工业株式会社 |
发明人 |
岩田宽 |
分类号 |
H01L31/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
胡建新 |
主权项 |
一种成膜基板,由具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面的平坦部而形成,其特征在于,所述凹凸结构通过成膜含氧化铟的所述薄膜层而形成。 |
地址 |
日本东京都 |