发明名称 |
高纯锗多晶制备工艺及专用设备 |
摘要 |
本发明涉及探测器级的高纯锗多晶制备工艺以及该工艺的专用设备,该工艺包括原料锗锭及区熔设备的清洗以及区熔提纯两个部分;该专用设备包括底座、小车轨道、小车、石英管及石英管支架,原料锗锭放置于石英管内,所述小车上固定有高频加热线圈,该高频加热线圈为宽度1~3cm的双层线圈,并环绕于所述石英管外部。本发明反应物及区熔设备均经过严格的物理及化学清洗,清洗液纯度高,且反应过程始终在超净工作台内进行,对反应物、反应环境纯度要求高,为制出高纯度的产品提供了先决条件,区熔过程采用窄熔区结构移动加热区熔,使其热量集中,大大提高区熔过程中杂质的分凝效果,提高纯化的效率,且经过反复多次区熔,进一步提高产品纯度。 |
申请公布号 |
CN102206858A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110180523.5 |
申请日期 |
2011.06.30 |
申请人 |
白尔隽 |
发明人 |
白尔隽 |
分类号 |
C30B29/08(2006.01)I;C30B28/08(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/08(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市远航专利商标事务所 44276 |
代理人 |
褚治保 |
主权项 |
高纯锗多晶制备工艺,包括原料锗锭及区熔设备的清洗以及区熔提纯两个部分,其特征在于,所述原料锗锭清洗依次包括超声波清洗器的超净水清洗、超净工作台的化学清洗以及氮气吹干步骤;所述区熔设备清洗依次包括超声波清洗器的超净水清洗、超净工作台的化学清洗、氮气吹干以及区熔设备表面涂层步骤;所述区熔提纯包括将原料锗锭装料至区熔设备以及区熔炉提纯的步骤。 |
地址 |
518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号深圳大学核技术应用研究所 |