发明名称 |
一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜及其制备方法 |
摘要 |
一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜,其化学分子式为InxGa1-xN,式中x为0.05~0.3,该氮铟镓薄膜,由衬底和该衬底表面形成的一层氮铟镓薄膜构成,所述氮铟镓薄膜的厚度为0.6-1.5µm;其制备方法是:首先在MOCVD沉积系统的进样室中,对衬底表面进行表面等离子体清洗,然后在MOCVD沉积系统的沉积室中,采用磁控溅射工艺在衬底表面沉积一层氮铟镓薄膜。本发明的优点是:具有较大带隙的氮铟镓薄膜,提供了对应于太阳光谱几乎完美的匹配带隙,为利用单一半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能,且其吸收系数高,载流子迁移率高,抗辐射能力强;其制备方法工艺条件方便易行,有利于大规模推广应用。 |
申请公布号 |
CN102206812A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110087842.1 |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
薛玉明;宋殿友;朱亚东;裴涛;汪子涵;王一;牛伟凯;王金飞;周凯;李石亮;姜舒博;杨醒 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种具有较大带隙的氮铟镓薄膜,其特征在于:化学分子式为InxGa1‑xN,式中x为0.05~0.3,该氮铟镓薄膜,由衬底和该衬底表面形成的一层氮铟镓薄膜构成,所述氮铟镓薄膜的厚度为0.6‑1.5µm。 |
地址 |
300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 |