半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于，提供一种与以往的半导体装置相比，不易出现门寄生振荡的半导体装置。本发明的半导体装置10具有由基准浓度层4和低浓度层3构成的漂移层5、门极电极结构20、一对源极区域8a和8b、一对基极区域7a和7b、以及在该基极区域7a和7b的下部的基准浓度层4内设置的空乏层延伸区域6a和6b，该空乏层延伸区域6a和6b的下表面与低浓度层3和基准浓度层4的界面位置相比更进入低浓度层3，在基准浓度层4的表面上，形成有“dVDS/dt”低减用扩散层30，用于在切断电路时降低“dVDS/dt”，该“dVDS/dt”低减用扩散层30含有n型杂质、其浓度比基准浓度层4所含的杂质浓度更高。

主权项

一种半导体装置，具有：漂移层，由基准浓度层和低浓度层所构成，所述基准浓度层含有第1导电型杂质、其浓度为第1基准浓度，所述低浓度层被设置在所述基准浓度层的下表面并且含有所述第1导电型杂质、其浓度比所述第1基准浓度更低；门极电极，在所述基准浓度层的上表面经由门绝缘膜而形成；一对第1导电型半导体区域，被设置在所述基准浓度层的表面并分别靠近所述门极的各个端部、含有第1导电型杂质、其浓度比所述第1基准浓度更高；一对基极区域，分别围绕所述第1导电型半导体区域、含有第2导电型杂质、其浓度为第2基准浓度；第1电极，与所述第1导电型半导体区域及所述基极区域电连接；以及空乏层延伸区域，被设置在所述基极区域下部的所述基准浓度层内、含有第2导电型杂质、其浓度比所述第2基准浓度更低、其下表面被形成为与所述低浓度层和所述基准浓度层的界面位置相比更进入所述低浓度层，其特征在于：在所述基准浓度层的表面形成有“dVDS/dt”低减用扩散层，用于在切断电路时降低“dVDS/dt”，所述“dVDS/dt”低减用扩散层含有第1导电型杂质、其浓度比所述基准浓度层更高。