| 发明名称 | ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法。该紫外发光二极管衬底为生长在蓝宝石上的n型GaN，在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1-xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第二电极，第一电极与ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层并列沉积在n型GaN膜层上。其制备方法是首先用射频磁控溅射工艺在衬底上制备ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱有源层；然后在n型ZnO薄膜层上溅射p型NiO薄膜层；最后制作第一电极和第二电极。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管具有较好的电致紫外自由激射发光特性，发光峰值波长在373nm左右，单根激射光线宽小于0.5nm。ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。 | ||
| 申请公布号 | CN101888061B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201010214026.8 | 申请日期 | 2010.06.22 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 方国家;龙浩;黄晖辉;李颂战;莫小明;王皓宁 |
| 分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 张火春 |
| 主权项 | 一种ZnO/ZnMgO多量子阱电致紫外自由激射激光二极管，其特征在于：衬底为生长在蓝宝石(1)上的n型GaN(2)；在衬底自下而上依次有由ZnO和Zn1‑xMgxO交替沉积形成的ZnO/Zn1‑xMgxO多量子阱有源层(3)、p型NiO薄膜层(4)和第一电极(5)；还有第二电极(6)与ZnO/Zn1‑xMgxO多量子阱有源层(3)并列沉积在n型GaN层(2)上，其中ZnO/Zn1‑xMgxO多量子阱有源层(3)中，0.1≤x≤0.3。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌珞珈山 | ||