| 发明名称 | 阻挡层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阻挡层的形成方法，包括：提供半导体基片，所述半导体基片上具有介质层和所述介质层内的开口；在包括所述开口内的介质层上形成阻挡层；采用等离子体刻蚀所述开口内的阻挡层以减薄或去除开口底部的阻挡层；所述等离子体刻蚀包括交替进行的第一刻蚀和第二刻蚀，所述第一刻蚀与第二刻蚀的区别在于：所述等离子体相对于所述半导体基片，在半导体基片直径方向的分布相反。采用所述方法能够改善等离子体刻蚀的均匀性，提高整个半导体基片上芯片的漏电流的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101764083B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200810208067.9 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种阻挡层的形成方法，包括：提供半导体基片，所述半导体基片上具有介质层和所述介质层内的开口；在所述开口内形成阻挡层；采用等离子体刻蚀所述开口内的阻挡层以减薄或去除开口底部的阻挡层；其特征在于，所述等离子体刻蚀包括交替进行的第一刻蚀和第二刻蚀，所述第一刻蚀与第二刻蚀的区别在于：所述等离子体相对于所述半导体基片，沿半导体基片第一直径方向的分布以第二直径为参照轴相反，其中所述第一直径与第二直径垂直；其中，所述第一刻蚀和第二刻蚀的交替进行通过以下方式实现：以圆心为轴交替旋转所述半导体基片180度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||