发明名称 | 紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法 | ||
摘要 | 一种纳米材料技术领域的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法,通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上,经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜,经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。本发明以氧化石墨烯为原材料,采用紫外刻蚀并还原法,一步干法制备单层石墨烯量子点。 | ||
申请公布号 | CN102208755A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
申请号 | CN201110109954.2 | 申请日期 | 2011.04.29 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 沈广霞;张佳利;杨海军;崔大祥 |
分类号 | H01S5/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I |
代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 一种紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法,其特征在于,通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上,经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜,经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |