发明名称 紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法
摘要 一种纳米材料技术领域的紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法,通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上,经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜,经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。本发明以氧化石墨烯为原材料,采用紫外刻蚀并还原法,一步干法制备单层石墨烯量子点。
申请公布号 CN102208755A 申请公布日期 2011.10.05
申请号 CN201110109954.2 申请日期 2011.04.29
申请人 上海交通大学 发明人 沈广霞;张佳利;杨海军;崔大祥
分类号 H01S5/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I 主分类号 H01S5/34(2006.01)I
代理机构 上海交达专利事务所 31201 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 一种紫外光刻蚀干法制备石墨烯量子点的方法,其特征在于,通过将石墨烯溶液旋涂于云母片上,经干燥得到氧化石墨烯/云母薄膜,经紫外光照射后制备得到单层石墨烯的量子点薄膜。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
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