半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置。在箝位二极管中，能够抑制漏泄电流，同时降低其动作电压。在N-型半导体层2的表面，形成有P-型扩散层5。在P-型扩散层5的表面，形成有N+型扩散层6。在P-型扩散层5的表面，邻接N+型扩散层6形成有P+型扩散层7。在邻接P-型扩散层5的N-型半导体层2的表面，形成有N+型扩散层8。形成有阴极电极10，其穿过开口于N+型扩散层6上的绝缘膜9的接触孔，而电连接于N+型扩散层6。形成有配线11(阳极电极)，其穿过分别开口于P+型扩散层7以及N+型扩散层8上的绝缘膜9的各接触孔，而电连接于P+型扩散层7以及N+型扩散层8。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：第二导电型的半导体基板；第一导电型半导体层；从所述半导体层的表面到达所述半导体基板而形成，通过包围所述半导体层而将所述半导体层分离为岛区域的第二导电型的分离层；在所述岛区域中，在所述半导体层和所述半导体基板的交界处形成的第一导电型的埋入扩散层；形成于所述半导体层表面的第二导电型的第一扩散层；形成于所述第一扩散层表面的第一导电型的第二扩散层；连接所述第二扩散层的第一电极；将所述半导体层和所述第一扩散层短路的第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间流动的电流在所述第一导电型埋入扩散层中流动。