发明名称 |
表面疏水化膜、表面疏水化膜形成材料、布线层、半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
根据本发明,能够得到漏电量少、且EM(电迁移)耐性和TDDB(经时介电击穿)耐性高的布线层,由此能够提供耗电量小、可靠性高的半导体装置的制造技术。本发明的表面疏水化膜是与绝缘膜接触的表面疏水化膜,其在接触时具有比绝缘膜更高的疏水性,并且其相反侧表面还与布线接触并包含选自由硫原子、磷原子和氮原子组成的组中的至少一种原子。 |
申请公布号 |
CN101647106B |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN200780052178.9 |
申请日期 |
2007.03.15 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
今田忠纮;中田义弘 |
分类号 |
H01L21/312(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;C09D183/00(2006.01)I;C09K3/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/312(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
菅兴成;吴小瑛 |
主权项 |
一种表面疏水化膜形成材料,该表面疏水化膜与绝缘膜接触,且具有比该接触时的该绝缘膜更高的疏水性,其中,该表面疏水化膜的与绝缘膜接触的表面的相反侧表面还与布线接触,并且含有由硫原子和磷原子组成的组中选出的至少一种原子。 |
地址 |
日本神奈川县 |