| 发明名称 | 晶圆表面有机粒子杂质去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种晶圆表面有机粒子杂质去除方法，能够有效去除晶圆表面有机粒子杂质，减轻了晶圆表面有机粒子杂质带来图形畸变、介质层穿通及漏电流增大等而造成产品报废的问题。其中所述晶圆表面包括电介质层或者钝化层，该方法包括：使用去离子水刷洗所述晶圆表面的颗粒；使用HF溶液刻蚀所述晶圆表面；使用去离子水去除所述刻蚀后晶圆表面残留的HF溶液；使用HPM溶液去除所述刻蚀后晶圆表面的有机粒子杂质；以及使用去离子水清洗该晶圆并进行干燥处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101770931B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200810204952.X | 申请日期 | 2008.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陆肇勇;丁敬秀 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶圆表面有机粒子杂质去除方法，所述晶圆表面包括电介质层或者钝化层，其特征在于，该方法包括：使用去离子水刷洗所述晶圆表面的颗粒；使用HF溶液刻蚀所述晶圆表面；使用去离子水去除所述刻蚀后晶圆表面残留的HF溶液；使用HPM溶液去除所述刻蚀后晶圆表面的有机粒子杂质；以及使用去离子水清洗该晶圆并进行干燥处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||