金属膜的形成方法

摘要

本发明涉及一种使形成有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的膜的基体上的金属化合物升华，将该升华气体向用于形成金属膜的基体供给并分解，由此在基体表面上形成金属膜的方法。提供一种能简单形成下述金属膜的方法：在绝缘体基板的沟槽内，采用镀敷法将金属特别是铜埋入之际，在形成种子层的同时，还起到防止金属原子向绝缘膜迁移的阻挡层的作用，且和绝缘体的密合性优良的金属膜。

主权项

金属膜的形成方法，其特征在于，在用于形成选自钴、钌和钨中的至少一种金属的膜的第一基体上，从承载有选自钴化合物、钌化合物和钨化合物中的至少一种金属化合物的第二基体使该金属化合物升华，而且将该升华气体供给该第一基体并分解，由此在第一基体表面上形成该金属膜，上述第一基体具有长宽比为3‑40的沟槽，其中上述长宽比是指沟槽深度除以沟槽开口宽度的值。