半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据该半导体器件的制造方法，能够以良好制造效率和低成本制造半导体器件，同时抑制在密封区域中产生气孔，所述方法包括步骤：(A)通过热压键合法将半导体芯片的外部连接端子键合到膜衬底的布线；和(B)树脂密封半导体芯片和膜衬底的键合部分的外围；其中，在从所述半导体芯片的键合侧的相反侧吸附面向所述半导体芯片的一部分膜衬底的情况下进行所述步骤(A)，并且，在降低所述半导体芯片和所述膜衬底的温度而使得所述膜衬底不存在热膨胀的情况下进行所述步骤(B)。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(A)通过热压键合法将半导体芯片的外部连接端子键合到膜衬底的布线；以及(B)树脂密封所述半导体芯片和所述膜衬底的键合部分的外围，其中，在从所述半导体芯片的键合侧的相反侧吸附面向所述半导体芯片的一部分膜衬底的情况下进行所述步骤(A)，以及其中，在降低所述半导体芯片和所述膜衬底的温度而使得所述膜衬底不存在热膨胀的情况下进行所述步骤(B)。