无电镀形成的半导体装置的接触组件及用减少的剪力移除过多的材料

摘要

本发明涉及一种无电镀形成的半导体装置的接触组件及用减少的剪力移除过多的材料。以例如无电镀的选择性沉积技术为基础，形成半导体装置接触阶层中的接触组件，其中达到接触阶层有效的平面化，而不需要施加过度机械压力至所述接触组件。在一些实施例中，可避免接触开口的过度填充，以及用非关键抛光工艺为基础完成表面的平面化。在其他例子中，使用电化学蚀刻技术结合传导牺牲电流分布层，用来移除接触组件的任何过多材料，而不会诱导过度的机械压力。

主权项

一种在半导体装置中形成接触组件的方法，所述方法包括：进行选择性沉积工艺，在接触阶层的介电材料的接触开口中形成金属，所述接触开口连接至电路组件的接触区域，所述电路组件至少部分形成在所述半导体装置的半导体层中；从所述金属形成接触组件，所述接触组件被侧向包埋；以及在所述侧向包埋的接触组件基础上进行平面化工艺，提供所述接触阶层的实质平坦表面。