半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该制造方法包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行初始掺杂，在所述衬底内形成初始掺杂层，且所述初始掺杂至少包含一次掺杂处理；对所述衬底进行目标掺杂，在所述衬底内形成目标掺杂层，且所述目标掺杂中所用杂质的扩散系数小于所述初始掺杂中所用杂质的扩散系数。本发明的半导体器件的制造方法及半导体器件可以在对衬底的晶格损伤不严重的情况下，改善因杂质扩散引起的器件特性发生偏离的现象。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底具有由STI结构隔离开的多个器件区；对所述衬底进行初始掺杂，在整个所述器件区形成初始掺杂层，且所述初始掺杂至少包含一次掺杂处理，每次掺杂处理都同时针对所述器件区内的源漏区；对所述衬底进行目标掺杂，在整个所述器件区形成目标掺杂层，且所述目标掺杂中所用杂质的扩散系数小于所述初始掺杂中所用杂质的扩散系数；其中，目标掺杂与初始掺杂的区域相同。