一种薄膜晶体管有源层及其生长方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管有源层及其生长方法。本发明提出的薄膜晶体管为由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜，其生长方法包括：用原子层淀积技术在基板上周期性地生长HfO2和ZnO薄膜，得到特定厚度的HfZnO有源沟道层。本发明方法所淀积的薄膜具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，可以减少薄膜的缺陷密度，因此可大大降低沟道层中的缺陷以及介质层和沟道层界面处的缺陷，最终提高TFT的性能。

主权项

一种薄膜晶体管有源层，其特征在于为由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜。