氮化物半导体激光元件

摘要

本发明提供一种氮化物系半导体激光元件，其具备：由氮化物系半导体构成的活性层；和形成于该活性层上且由氮化物系半导体构成的p型包覆层。而且，p型包覆层内的活性层侧区域的折射率低于p型包覆层内的活性层侧相反侧区域的折射率。

主权项

一种氮化物系半导体激光元件，具备：活性层，其由氮化物系半导体构成；p型包覆层，其形成于所述活性层上且由氮化物系半导体构成，并且，所述p型包覆层内的所述活性层侧区域的折射率比所述p型包覆层内的所述活性层侧相反侧区域的折射率低。