| 发明名称 | 多晶Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅台阶式埋氧SSGOInMOSFET器件结构，其技术方案在于该器件自上而下的结构为：多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅结构；栅绝缘层；本征或者p-掺杂应变Si电子量子阱层；p掺杂弛豫Si1-yGey缓冲层；台阶式埋氧层；p-掺杂的衬底，所述p-掺杂的单晶Si(100)衬底由p弛豫Si1-yGey缓冲层、p弛豫SiGe渐变层以及单晶Si三部分组成。该器件结构简单，与常规体Si SOI工艺完全兼容，并集成了“栅极工程”“应变工程”以及“衬底工程”三者的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102208448A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110134448.9 | 申请日期 | 2011.05.24 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 宋建军;王冠宇;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;周春宇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种多晶Si1‑xGex/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构，自上而下依次包括：多晶Si1‑xGex/金属并列覆盖双栅结构；栅绝缘层；本征或者p‑掺杂应变Si电子量子阱层；p掺杂弛豫Si1‑yGey缓冲层；台阶式埋氧层；p‑掺杂的衬底，所述p‑掺杂的单晶Si(100)衬底由p弛豫Si1‑yGey缓冲层、p弛豫SiGe渐变层以及单晶Si三部分组成。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号西安电子科技大学 | ||