发明名称 |
介质阻挡放电氢等离子钝化方法 |
摘要 |
本发明涉及一种介质阻挡放电氢等离子钝化方法。该钝化方法是:将样品置于样品台上,并通过抽真空系统将容腔抽至一定真空;通过氢气源向容腔通入氢气并调节至一定压强;通过介质阻挡放电进行氢等离子钝化处理。与现有的技术比较:本发明可以直接对制备完成的电池片进行处理,设备简单,处理时间短。与等离子浸没离子注入(PIII)技术相比,在同样离子状态和处理效果下,不需要外加ICP或ECR激励源,另外加速电场实现也可采用较易实现的正弦电源。 |
申请公布号 |
CN102206866A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110111783.7 |
申请日期 |
2011.04.30 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
付少永;张驰;熊震;黄振飞;刘振淮 |
分类号 |
C30B31/22(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B31/22(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种介质阻挡放电氢等离子钝化方法,其特征是:具有如下步骤:1)将制作完成的晶体硅太阳能电池片的SiNX面朝上置于作为样品台的下金属电极(6)上,并通过抽真空系统将容腔(4)抽至一定真空;2)通过氢气源向容腔(4)通入氢气并调节压强至0.1‑10mTorr;3)打开激励电源(1),缓慢升高电压使作为工作介质的氢发生辉光放电;4)调节激励电源(1)的电压和频率使氢离子获得足够能量而又不会损伤SiNX膜,进行氢等离子钝化处理。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |