发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管，所述发光二极管包括：衬底；位于衬底上的缓冲层、n型半导体层、有源层以及p型半导体层；所述发光二极管还包括形成于p型半导体层上的粗化层，所述粗化层包括n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层或p/n共掺的InAlGaN层中的一种或其组合，所述n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层以及p/n共掺的InAlGaN层均具有粗化表面，所述粗化表面可以有效地减少全反射，大部分光线可以直接射出，提高发光二极管的外量子效率，提高发光二极管的光利用率和亮度，并可减少材料结温，有利于提高发光二极管的寿命；此外，粗化层材料的电导率相对较高，不会对于整体结构的电压造成影响。

主权项

一种发光二极管，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层、n型半导体层、有源层以及p型半导体层；其特征在于，还包括形成于所述p型半导体层上的粗化层，所述粗化层包括n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层或p/n共掺的InAlGaN层中的一种或其组合，所述n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层以及p/n共掺的InAlGaN层均具有粗化表面。