低噪声带隙基准

摘要

本发明涉及低噪声带隙基准。使用双极晶体管交叉耦合回路的级联和的低噪声带隙电压基准。这些回路被设计为提供一带隙电压基准和二带隙电压基准所需的总PTAT电压。所述PTAT电压噪声是所述回路中的每个晶体管的噪声电压的平方之和的平方根。所述基准的总噪声可以远低于使用两个或4个双极器件来得到PTAT电压并然后将该PTAT电压增加到所需总PTAT电压的方法。交叉耦合的回路也抵制使其偏置的电流中的噪声。公开了可替换实施例。

主权项

一种带隙电压基准，包括：多个级联PTAT电压电路和多个第一电流源，每个电路具有相同导电类型的第一至第四晶体管，每个所述晶体管均具有发射极、基极和集电极，第一晶体管的基极连接到第二晶体管的发射极和第四晶体管的集电极的公共连接，第四晶体管的基极连接到第三晶体管的发射极和第一晶体管的集电极的公共连接，第三晶体管的集电极连接到第三和第二晶体管的基极的公共连接并且连接到相应第一电流源；用于向第二晶体管的集电极提供电流的电路；第三晶体管的发射极面积大于第一晶体管的发射极面积，并且第四晶体管的发射极面积大于第二晶体管的发射极面积；多个第二电流源；第一级联PTAT电压电路的第一晶体管的发射极连接到电源连接，最后级联PTAT电压电路的第四晶体管的发射极通过所述多个第二电流源中的最后一个而耦合到电源连接，并且提供PTAT输出电压；除最后级联PTAT电压电路之外的所有级联PTAT电压电路的第四晶体管的发射极通过第二电流源的相应一个而连接到电源连接，并且连接到下一个级联PTAT电压电路的第一晶体管的发射极。