发明名称 |
一种单晶硅纳米结构的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种单晶硅纳米结构的制备方法,以硅基片或SOI硅片作为衬底,根据所需要的单晶硅纳米结构在衬底上形成掩膜图形,掩膜图形线宽≤2μm;刻蚀形成微米级硅结构,然后对衬底进行氧化,在硅表面形成一层二氧化硅层;最后用氢氟酸溶液腐蚀掉二氧化硅层;由于氧化会消耗掉部分硅,因此可减小微米级硅结构线宽,得到单晶硅纳米结构。该发明利用普通光刻和热氧化相结合的方法制备单晶硅纳米结构,具有兼容性好、操作方便、成本低廉、便于大规模生产等优点,而且相对于现有的基于微机械加工工艺的纳米结构制备方法,拥有更好的线宽可控性。 |
申请公布号 |
CN102205943A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110089421.2 |
申请日期 |
2011.04.11 |
申请人 |
北京理工大学 |
发明人 |
赵安迪;于晓梅;王晓菲;吴文刚;董立泉 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种单晶硅纳米结构的制备方法,包括如下步骤:1)以硅基片或SOI硅片作为衬底,在衬底上制作掩膜层,根据所需要的单晶硅纳米结构形成掩膜图形,掩膜图形线宽≤2μm;2)对衬底进行氧化,在硅表面形成二氧化硅层,并消耗掉部分硅;3)用氢氟酸溶液腐蚀掉二氧化硅,得到单晶硅纳米结构。 |
地址 |
100081 北京市海淀区中关村南大街5号 |