发明名称 |
一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,由玻璃衬底、透明导电膜、P1-I1-N1非晶硅电池、P2-I2-N2微晶硅电池、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层、ZnO层、Al层、EVA层和背板玻璃组成并依次组成叠层结构,其中以P1-I1-N1非晶硅电池作为顶电池,以P2-I2-N2微晶硅电池作为底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。本发明的优点:存放在大气中的非晶硅顶电池在制备微晶硅底电池前,用H或Ar等离子体处理顶电池n层,可消除n层表面同大气中的氧气反应生成SiOx层;该制备工艺简单、易于控制、产品优良率高、电池转换效率高,可方便移植到现有的硅基薄膜电池生产线上,产品升级换代成本低,有利于推广。 |
申请公布号 |
CN102208477A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110137576.9 |
申请日期 |
2011.05.26 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
任慧志;赵颖;张晓丹;葛洪;王宗畔 |
分类号 |
H01L31/075(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/075(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,其特征在于:由玻璃衬底、透明导电膜TCO、p型非晶硅窗口层P1、非晶硅本征层I1、n型非晶硅层N1、高电导率和高晶化率的n型微晶硅层N1+、p型微晶硅层P2、微晶硅本征层I2、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层N2、ZnO层、金属Al层、EVA层和背板玻璃层组成并依次组成叠层结构,其中以P1‑I1‑N1非晶硅电池作为叠层电池的顶电池,以P2‑I2‑N2微晶硅电池作为叠层电池的底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |