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发明名称 THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20110108220(A) 申请公布日期 2011.10.05
申请号 KR20100064415 申请日期 2010.07.05
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, CHAN JIN;HWANG, KI HYUN;CHOI, HAN MEI;YOO, DONG CHUL;HWANG, WAN SIK
分类号 H01L27/115;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/108 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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