| 发明名称 | 热处理方法以及热处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种热处理方法及热处理装置，其不依赖于在晶片上形成的回路图案的面积、图案的设置以及构成回路的膜的材料等，可以在大致相同的热处理条件下进行热处理。将晶片(10)导入利用加热装置(4)在容器(2)内形成的处于放射平衡状态的温度空间(8)的下部低温区域(垂直方向位置B)并对其进行保持，使基板温度缓慢上升至750℃～800℃。然后，将晶片导入温度空间(8)的高温区域(垂直方向位置C)并对其进行保持，使基板温度上升至热处理温度，并且，实施规定时间的热处理。从而，可以不依赖于晶片(10)的状态(氮化硅膜、多晶硅膜的基板覆盖面积比例)，来进行均匀的热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1822321B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200610007750.7 | 申请日期 | 2006.02.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川瀬文俊;柴田聪 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种热处理方法，其特征在于：是对在基板上形成的、由规定材料膜构成图案的基板覆盖面积不同的多个半导体基板，进行RTP、即快速热处理的热处理方法，其中，包括如下步骤：在第一放射平衡温度下，在处于放射平衡状态的第一温度空间内设置所述半导体基板，将该半导体基板升温至第一基板温度的升温步骤；在与所述第一放射平衡温度相比为高温的第二放射平衡温度下，在处于放射平衡状态的第二温度空间内设置所述升温后的半导体基板，将该半导体基板升温至第二基板温度的升温步骤；和通过将所述升温至第二基板温度的半导体基板在该第二基板温度维持规定时间，来进行热处理的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||