| 摘要 |
<p>반도체, 절연체, 및 도전체를 포함하는 반도체 소자를 평가하는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 본 발명은 전압을 도전체에 인가하여 전류값을 측정하는 제 1 단계, 반도체가 도전체와 겹치는 영역의 면적으로 전류값을 분할하여 전류 밀도를 계산하는 제 2 단계, 반경의 역수 및 전류 밀도를 갖는 공식=2/+(와는 각각 상수)의 계수를 사용하여 디플리션층 에지 누설 전류 및 인-플레인 누설 전류를 계산하는 제 3 단계를 갖는다. 또한, 본 발명은 제 1 단계, 제 2 단계, 및 반도체의 채널 폭와 채널 길이의 역수와 전류 밀도를 갖는 공식=/+/+(,, 및는 각각 상수)의 계수를 사용하여 디플리션층 에지 누설 전류, 인-플레인 누설 전류, 및 실리콘 에지 누설 전류를 계산하는 다른 제 3 단계를 갖는다.</p> |
