发明名称 |
表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法,其中,硅晶圆包括硅晶圆和玻璃层,其中玻璃层为钝化层,其特征在于,所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽,所述的玻璃层设置在沟槽内,且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄,而其制造方法包括下列步骤:提供硅晶圆;涂布玻璃溶液于沟槽内;进行第一干燥处理;涂布玻璃溶液于第一干燥层上;进行第二干燥处理;将第一干燥层和第二干燥层进行烧结处理。本发明使得硅晶圆沟槽内的玻璃层中间厚度较外侧厚度薄,并利用玻璃层厚度分布的差异,使得在切割硅晶圆的过程中,可降低玻璃层边缘破裂的可能性。 |
申请公布号 |
CN102208370A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110111020.2 |
申请日期 |
2011.04.29 |
申请人 |
昆山东日半导体有限公司 |
发明人 |
张仓生;郭宗裕 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
董建林;严志平 |
主权项 |
表面形成玻璃层的硅晶圆,包括硅晶圆和玻璃层,其中玻璃层为钝化层,其特征在于,所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽,所述的玻璃层设置在沟槽内,且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄。 |
地址 |
215332 江苏省苏州市昆山市花桥经济开发区花安路1758号 |