发明名称 表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法
摘要 本发明公开了一种表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法,其中,硅晶圆包括硅晶圆和玻璃层,其中玻璃层为钝化层,其特征在于,所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽,所述的玻璃层设置在沟槽内,且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄,而其制造方法包括下列步骤:提供硅晶圆;涂布玻璃溶液于沟槽内;进行第一干燥处理;涂布玻璃溶液于第一干燥层上;进行第二干燥处理;将第一干燥层和第二干燥层进行烧结处理。本发明使得硅晶圆沟槽内的玻璃层中间厚度较外侧厚度薄,并利用玻璃层厚度分布的差异,使得在切割硅晶圆的过程中,可降低玻璃层边缘破裂的可能性。
申请公布号 CN102208370A 申请公布日期 2011.10.05
申请号 CN201110111020.2 申请日期 2011.04.29
申请人 昆山东日半导体有限公司 发明人 张仓生;郭宗裕
分类号 H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 董建林;严志平
主权项 表面形成玻璃层的硅晶圆,包括硅晶圆和玻璃层,其中玻璃层为钝化层,其特征在于,所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽,所述的玻璃层设置在沟槽内,且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄。
地址 215332 江苏省苏州市昆山市花桥经济开发区花安路1758号