| 发明名称 | 磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种磁阻式随机存取存储器元件，包含有：下部电极，设于第一绝缘层中；环状参考层，位于第二绝缘层的第一介层洞内，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上，且该环状参考层位于该下部电极正上方；第一填缝材料层，填入该第一介层洞中；阻障层，覆盖该环状参考层，该第二绝缘层以及该第一填缝材料层；环状自由层，设于第三绝缘层的第二介层洞内，该第三绝缘层位于该第二绝缘层上，且该环状自由层位于该环状参考层正上方；以及上部电极，堆叠于该环状自由层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102208529A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201010180973.X | 申请日期 | 2010.05.14 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 谢君毅;吴昌荣 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种磁阻式随机存取存储器元件，其特征在于，包含有：下部电极，设于第一绝缘层中；环状参考层，位于第二绝缘层的第一介层洞内，该第二绝缘层位于该第一绝缘层上，且该环状参考层位于该下部电极正上方；第一填缝材料层，填入该第一介层洞中；阻障层，覆盖该环状参考层，该第二绝缘层以及该第一填缝材料层；环状自由层，设于第三绝缘层的第二介层洞内，该第三绝缘层位于该第二绝缘层上，且该环状自由层位于该环状参考层正上方；以及上部电极，堆叠于该环状自由层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||