| 发明名称 | 使用适合提高氧化硅的去除的抛光组合物对基片进行化学机械抛光的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含氧化硅；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下组分作为初始组分：水；磨料；以及式I的物质<img file="dsa00000458647500011.GIF" wi="1271" he="501" />式中，R<sup>1</sup>，R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>各自独立地选自C<sub>1-4</sub>烷基；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；使得抛光表面相对于基片运动；将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；以及，磨去所述基片的至少一部分，从而抛光所述基片；其中，包含在所述化学机械抛光组合物中的式I的物质提供提高的氧化硅去除速率以及改进的抛光缺陷性的性能；并从所述基片上除去至少一部分氧化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN102206465A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110072112.4 | 申请日期 | 2011.03.16 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 | 发明人 | 郭毅;刘振东;K-A·K·雷迪;G·张 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含氧化硅；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下物质作为初始组分：水；磨料；以及式I的物质<img file="FSA00000458647600011.GIF" wi="1270" he="502" />式中，R<sup>1</sup>，R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>各自独立地选自C<sub>1-4</sub>烷基；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；使得所述抛光表面相对于所述基片运动；将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；以及，磨去基片的至少一部分，从而抛光所述基片；其中，所述化学机械抛光组合物中包含的式I的物质提供了提高的氧化硅去除速率以及改进的抛光缺陷性的性能；并从所述基片上除去至少一部分氧化硅。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||