| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着，对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜，所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后，玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为-500N/m以上且+50N/m以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101179012B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200710186035.9 | 申请日期 | 2007.11.07 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 下村明久;宫入秀和;神保安弘 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在玻璃基板上形成绝缘膜和半导体膜，其中所述玻璃基板具有大于6×10‑7/℃且38×10‑7/℃以下的热膨胀率；加热所述绝缘膜和所述半导体膜；以及对所述绝缘膜和所述半导体膜照射脉冲紫外激光束，以使所述半导体膜熔融并在与所述玻璃基板成水平的方向上生长半导体膜的晶粒，所述脉冲紫外激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽，其中，进行所述加热以使所述绝缘膜和所述半导体膜的总应力在加热之后为‑500N/m以上且+50N/m以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||