硅半导体晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷的产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。

主权项

用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片，其中在拉伸所述单晶期间传导热量至所述相界面的中心，并控制从该相界面的所述中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于所述相界面的温度梯度，而V是由所述熔体拉伸所述单晶的拉伸速率，并控制该比例V/G的径向分布，从而补偿所述单晶内与所述相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷的产生的影响，其中，使所述单晶与所述相界面的中心区域相邻的处于压应力下的区域内的温度梯度G保持高于与所述单晶的边缘区域及所述相界面相邻的处于拉应力下的区域，其中，调节所述V/G的径向分布，从而使所述压应力区域内的V/G低于临界比例V/G，而所述拉应力区域内的V/G高于临界比例V/G，该临界比例V/G是在平面的相界面的情况下使固有点缺陷不会过量而形成缺陷的前提条件，其中，调节所述V/G的径向分布，从而使(V/G)t/(V/G)c大于1.5，其中(V/G)c是所述处于压应力下的区域内的最小比例V/G，而(V/G)t是所述处于拉应力下的区域内的最大比例V/G。