| 发明名称 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其根据处理控制壁电位。在处理容器内的等离子体处理空间生成等离子体，对晶片进行等离子体处理的蚀刻装置(10)包括：施加等离子体激励用的高频电力的等离子体激励用高频电源(150)；施加电位调整用的高频电力的电位调整用高频电源(140)和施加直流电压的直流电源(130)中的至少任意一个；载置晶片的载置台(125)；和位于载置于载置台(125)的晶片的外侧且与载置台(125)相对地配置，与电位调整用高频电源(140)和直流电源(130)中的至少任意一个连接的辅助电极(165)。 | ||
| 申请公布号 | CN102209426A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110084206.3 | 申请日期 | 2011.03.31 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 本田昌伸 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其在处理容器内的等离子体处理空间生成等离子体，对被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：施加等离子体激励用的高频电力的等离子体激励用高频电源；施加频率比等离子体激励用的高频低的电位调整用的高频电力的电位调整用高频电源和施加直流电压的直流电源中的至少任意一个；载置被处理体的载置台；和位于载置在所述载置台的被处理体的外侧且与所述载置台相对地配置，与所述电位调整用高频电源和所述直流电源中的至少任意一个连接的辅助电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||