| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种半导体结构，包括：晶圆片；形成在所述晶圆片之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的半导体薄层，且所述半导体薄层中的一部分相对于所述晶圆片悬空。可采用本发明实施例形成的半导体结构的半导体薄层形成器件，由于半导体薄层相对于晶圆片悬空，从而泄漏电流无法传递至衬底，因此本发明实施例的半导体结构能够抑制泄漏电流的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN102208440A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110149946.0 | 申请日期 | 2011.06.03 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;郭磊 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：晶圆片；形成在所述晶圆片之上的多个凸起结构，所述多个凸起结构之间间隔预定距离，且所述多个凸起结构呈阵列排列，所述预定距离小于50nm；和形成在所述多个凸起结构顶部的半导体薄层，且所述半导体薄层中的一部分相对于所述晶圆片悬空。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||