发明名称 |
基于环三(甲氧基取代甲基异腈金)纳微米线的光电器件、制备方法及应用 |
摘要 |
本发明具体涉及一种基于环三(甲氧基取代甲基异腈金)纳微米线的光电器件、其制备方法及在该器件在溶剂气氛传感器方面和光开关方面的应用。器件依次由硅基底、二氧化硅绝缘层、0TS(十八烷基三氯硅烷)修饰层、Au3A3纳微米线、蒸镀金制备的源电极和漏电极组成,多根纳微米线连接金电极两端。本发明在器件的制备过程中,利用了简单的溶液加工,通过使用不同种溶液的方法可以获得尺寸(直径和长度)不同的Au3A3金纳微米线。本发明的器件,在空气中表现出了优异的空穴传输性能和较高的迁移率,具有较强的光开关功能,并且对乙醇、乙腈等溶剂气氛有灵敏、可逆、稳定的电信号响应,在未来新型半导体材料应用方面具有非常可观的前景。 |
申请公布号 |
CN102208536A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110059108.4 |
申请日期 |
2011.03.11 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
王悦 |
分类号 |
H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/42(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
张景林;刘喜生 |
主权项 |
一种基于环三(甲氧基取代甲基异腈金)(简称Au3A3)纳微米线的光电器件,其特征在于:依次由硅基底(1)、二氧化硅绝缘层(2)、十八烷基三氯硅烷OTS修饰层(3)、Au3A3纳微米线(4)、蒸镀金制备的源电极(6)和漏电极(5)组成,Au3A3纳微米线(4)连接于源电极(6)和漏电极(5)间。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |