发明名称 |
一种石墨烯单晶片的制备方法 |
摘要 |
本发明公开的石墨烯单晶片的制备方法,采用的是等离子体刻蚀方法,将厚度均匀的纯石墨放入等离子体发生器的反应室,反应室抽真空,通入氩气、氧气或氮气作为刻蚀气体,利用射频源使刻蚀气体电离成为等离子体,轰击石墨表面,使石墨厚度在5纳米以下,得到石墨烯单晶片。本发明方法工艺简单、可控性强、可以制备大面积、高晶体学质量的石墨烯,适应工业化生产。 |
申请公布号 |
CN102206867A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110112505.3 |
申请日期 |
2011.05.03 |
申请人 |
杭州格蓝丰纳米科技有限公司 |
发明人 |
林时胜 |
分类号 |
C30B33/12(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
一种石墨烯单晶片的制备方法,其特征是步骤如下:将厚度均匀的纯石墨放入等离子体发生器的反应室,反应室真空度抽到500Pa以下,通入氩气、氧气或氮气作为刻蚀气体,控制刻蚀气体流量0.001~10000 ml/min,利用射频源使刻蚀气体电离成为等离子体,轰击石墨表面,使石墨厚度在5纳米以下,得到石墨烯单晶片。 |
地址 |
310007 浙江省杭州市西湖区西溪路525号C楼428室 |