| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了制造半导体器件的方法，该器件包括具有高精度厚度的氮化物半导体层。该方法包括下列步骤：在衬底上形成氮化镓(GaN)层，该层的主表面是+c表面；通过对GaN层的+c表面中的局部区域选择性地向下刻蚀，来形成沟槽；形成金属层以掩埋沟槽；将衬底与GaN层分离，此后，对GaN层的-c表面进行抛光直到暴露出金属层，并除去GaN层的厚度方向上的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102208496A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110073885.4 | 申请日期 | 2011.03.23 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 平尾直树;三浦祐哉 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成氮化镓(GaN)层，该层的主表面是+c表面；通过对所述GaN层的+c表面中的局部区域选择性地向下刻蚀，来形成沟槽；形成金属层以掩埋所述沟槽；以及将所述衬底与所述GaN层分离，此后，对所述GaN层的‑c表面进行抛光直到暴露出所述金属层，并除去所述GaN层的厚度方向上的一部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||