| 发明名称 | 金属栅极形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属栅极形成方法，包括：在基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成图形化的非晶碳层；形成环绕所述图形化的非晶碳层的侧墙；形成覆盖所述图形化的非晶碳层及侧墙的层间介质层；平坦化所述层间介质层并暴露所述图形化的非晶碳层；采用氧气灰化工艺去除所述图形化的非晶碳层，在所述层间介质层内形成沟槽；形成填充所述沟槽且覆盖所述层间介质层的金属层。本发明还提供了一种金属栅极形成方法。均可减少承载所述金属栅极的基底表面损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101593686B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200810113991.9 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 郑春生;杨瑞鹏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种金属栅极形成方法，其特征在于，包括： 在基底上形成栅介质层； 在所述栅介质层上形成图形化的非晶碳层； 形成环绕所述图形化的非晶碳层的侧墙； 形成覆盖所述图形化的非晶碳层及侧墙的层间介质层； 平坦化所述层间介质层并暴露所述图形化的非晶碳层； 采用氧气灰化工艺去除所述图形化的非晶碳层，在所述层间介质层内形成沟槽； 形成填充所述沟槽且覆盖所述层间介质层的金属层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||