发明名称 一种制作全息双闪耀光栅的方法
摘要 本发明公开了一种制作全息双闪耀光栅的方法,其特征在于,包括下列步骤:(1)在光栅基片上涂布光刻胶;(2)进行第一次干涉光刻,制作符合A闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(3)对于A光栅区的光栅掩模,通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀,形成三角形的闪耀光栅槽形;清洗基片;(4)重新涂布光刻胶;(5)将B光栅区进行遮挡,利用已制备完成的A光栅区进行莫尔条纹对准,然后去除遮挡,进行第二次干涉光刻,制作符合B闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(6)通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀,将B光栅区刻蚀形成三角形的闪耀光栅槽形;(7)清洗基片,得到全息双闪耀光栅。本发明实现了全息双闪耀光栅的制作,能够精确地分别控制两个闪耀角。
申请公布号 CN101726779B 申请公布日期 2011.10.05
申请号 CN200910231737.3 申请日期 2009.12.03
申请人 苏州大学 发明人 刘全;吴建宏;汪海宾;胡祖元;陈新荣;李朝明
分类号 G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G02B5/18(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 陶海锋
主权项 一种制作全息双闪耀光栅的方法,所述全息双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角,双闪耀光栅分为两个区,对应A闪耀角的为A光栅区,对应B闪耀角的为B光栅区,其特征在于,制作方法包括下列步骤:(1)在光栅基片上涂布光刻胶,光刻胶的厚度根据A闪耀角确定;(2)进行第一次干涉光刻,制作符合A闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(3)遮挡B光栅区,对于A光栅区的光栅掩模,通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀,利用光刻胶光栅掩模对离子束的遮挡效果,使基片材料的不同位置先后被刻蚀,形成三角形的闪耀光栅槽形;之后清洗基片,保留下已刻蚀完的闪耀光栅槽形;(4)在光栅基片上重新涂布光刻胶,光刻胶的厚度根据B闪耀角确定;(5)将B光栅区进行遮挡,利用已制备完成的A光栅区,采用光学莫尔条纹法进行莫尔条纹对准,使得所述第一次干涉光刻与去除遮挡后的第二次干涉光刻产生的光栅周期相一致,然后去除遮挡,进行第二次干涉光刻,制作符合B闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(6)遮挡A光栅区,通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀,将B光栅区刻蚀形成三角形的闪耀光栅槽形;(7)清洗基片,得到全息双闪耀光栅。
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