发明名称 Gas injector for use in semiconductor fabrication apparatus
摘要 <p>본 발명에 따른 가스 인젝터는, 기판이 안치되는 반응챔버 내에 가스를 공급하는 가스 인젝터로서, 상기 반응챔버를 관통하여 끝단이 상기 반응챔버의 내부에 위치하도록 설치되며 외부로부터 가스를 공급받는 주공급관(110)과, 주공급관(110)의 끝단에서 복수개로 분기되는 분기관(130)과, 분기관(130)의 끝단에 연결되도록 설치되며 복수개의 분사공을 갖는 인젝터 포트(120)를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 분기관을 통하여 미리 가스를 분배시켜놓고 인젝터 포트에 마련된 복수개의 분사공을 통해서 가스를 분사하므로 균일한 가스 분사가 이루어진다. 따라서, 공정 균일도가 향상된다.</p>
申请公布号 KR101070353(B1) 申请公布日期 2011.10.05
申请号 KR20040041366 申请日期 2004.06.07
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;B01D9/00;B01F15/00;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/00;H01L21/205 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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