111晶向铸锭硅单晶及其制备方法

摘要

本发明涉及一种<111>晶向铸锭硅单晶及其制备方法，包括以下步骤：1)将<111>晶向单晶硅块紧密排列，铺满坩埚底部，然后依次将硅料、掺杂元素原料、硅料置于坩埚中；2)抽取真空，通入惰性气体，边抽真空边通入惰性气体；3)加热坩埚，使<111>晶向的单晶硅块接触于坩埚底部的部分不熔化，与坩埚不接触的部分、硅料及掺杂元素原料均熔化并在原子尺度上彼此充分混合；4)定向凝固时，使坩埚底部为冷端，<111>晶向单晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到<111>晶向的铸锭单晶硅。本发明能得到单晶比例高达95％以上的铸锭单晶，能显著降低用于制造太阳能电池的单晶硅成本。

主权项

一种<111>晶向铸锭硅单晶，其特征在于：所述的铸锭硅单晶的单晶比例大于或等于95％。