发明名称 半导体装置及其芯片选择方法
摘要 本发明公开了一种半导体装置,包括:个体芯片指定码设置模块,被配置为产生具有不同值的多个个体芯片指定码;个体芯片激活模块,被配置为将多个个体芯片激活信号中的个体芯片激活信号使能,被使能的个体芯片激活信号对应于当个体芯片指定码与个体芯片控制码匹配时的个体芯片指定码;以及控制模块,被配置为响应于芯片选择熔丝信号和测试熔丝信号来设置个体芯片控制码或者将芯片选择地址输出作为个体芯片控制码。
申请公布号 CN102208397A 申请公布日期 2011.10.05
申请号 CN201010267765.3 申请日期 2010.08.31
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 高在范;崔俊基
分类号 H01L25/00(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 郭放;黄启行
主权项 一种半导体装置,包括:个体芯片指定码设置模块,所述个体芯片指定码设置模块被配置为产生具有不同值的多个个体芯片指定码;个体芯片激活模块,所述个体芯片激活模块被配置为将多个个体芯片激活信号中的个体芯片激活信号使能,其中,被使能的所述个体芯片激活信号对应于当所述个体芯片指定码中的一个与个体芯片控制码匹配时的个体芯片指定码;以及控制模块,所述控制模块被配置为响应于芯片选择熔丝信号和测试熔丝信号来设置所述个体芯片控制码或者将芯片选择地址输出作为所述个体芯片控制码。
地址 韩国京畿道
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