| 发明名称 | 具有层叠浮栅和控制栅结构的存储器的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有层叠浮栅和控制栅结构的存储器的制备方法，包括如下步骤：在所述存储器的有源区形成沟槽隔离结构；在所述有源区和所述沟槽隔离结构的表面形成浮栅层；刻蚀所述浮栅层形成浮栅；在所述浮栅表面和所述浮栅之间的间隙形成平坦化层；对所述平坦化层和所述浮栅进行平坦化处理，直至所述浮栅的表面被平坦化；去除所述浮栅间隙的平坦化层；在所述平坦化的浮栅表面形成介质层；在所述介质层的表面形成控制栅。采用本发明的方法制备的形成的存储器有利于数据的长期保存。 | ||
| 申请公布号 | CN102208368A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110142062.2 | 申请日期 | 2011.05.27 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 宗登刚;李荣林;徐爱斌;于涛;孔蔚然 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种具有层叠浮栅和控制栅结构的存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在存储器的有源区形成沟槽隔离结构；在所述有源区和所述沟槽隔离结构的表面形成浮栅层；刻蚀所述浮栅层形成浮栅；在所述浮栅表面和所述浮栅之间的间隙形成平坦化层；对所述平坦化层和所述浮栅进行平坦化处理，直至所述浮栅的表面被平坦化；去除所述浮栅间隙的平坦化层；在所述平坦化的浮栅表面形成介质层；在所述介质层的表面形成控制栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||