薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置。该薄膜晶体管包括氧化物半导体层，氧化物半导体层包括源区、漏区以及沟道区，其中，源区和漏区的部分具有比沟道区低的氧浓度。还提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，该氧化物半导体层包括源区、漏区以及沟道区，其中，源区和漏区的部分包括掺杂物，该掺杂物选自由铝、硼、镓、铟、钛、硅、锗、锡、铅及其组合物组成的组。

主权项

一种薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括源区、漏区以及沟道区，其中，所述源区和所述漏区的部分具有比所述沟道区低的氧浓度。