| 发明名称 | 固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法和电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法和电子设备。所述固体摄像器件包括：第一导电型的第一半导体区域；光电转换部，所述光电转换部具有第二导电型的第二半导体区域，所述第二半导体区域形成在所述第一半导体区域的通过隔离电介质区域而被分界的区域中；像素晶体管，所述像素晶体管形成在所述第一半导体区域中；第二导电型的浮动扩散区域，所述浮动扩散区域形成在所述第一半导体区域的通过所述隔离电介质区域而被分界的所述区域中；以及电极，所述电极形成在位于所述浮动扩散区域与所述隔离电介质区域之间的所述第一半导体区域上，并且被施加有预定偏压。 | ||
| 申请公布号 | CN102208427A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201110079165.9 | 申请日期 | 2011.03.30 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 十河康则;大理洋征龙 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I;H04N5/361(2011.01)I;H04N5/225(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：第一导电型的第一半导体区域；光电转换部，所述光电转换部具有第二导电型的第二半导体区域，所述第二半导体区域形成在所述第一半导体区域的通过隔离电介质区域而被分界的区域中；像素晶体管，所述像素晶体管形成在所述第一半导体区域中；第二导电型的浮动扩散区域，所述浮动扩散区域形成在所述第一半导体区域的通过所述隔离电介质区域而被分界的所述区域中；以及电极，所述电极形成在位于所述浮动扩散区域与所述隔离电介质区域之间的所述第一半导体区域上，并且被施加有预定偏压。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||