半导体器件和形成高衰减平衡带通滤波器的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和形成高衰减平衡带通滤波器的方法。一种半导体器件具有衬底和形成在衬底上的带通滤波器。所述带通滤波器包括被缠绕以展现电感特性的第一导电迹线（具有耦合到半导体器件的第一端子的第一末端和耦合到半导体器件的第二端子的第二末端）和耦合在第一导电迹线的第一和第二末端之间的第一电容器。第二导电迹线（具有耦合到半导体器件的第三端子的第一末端和耦合到半导体器件的第四端子的第二末端）被缠绕以展现电感特性。第二导电迹线具有与第一导电迹线不同的尺寸和形状。第二电容器被耦合在第二导电迹线的第一和第二末端之间。第三导电迹线围绕第一和第二导电迹线被缠绕以展现电感特性。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；以及形成在衬底上的带通滤波器，所述带通滤波器包括，（a）第一导电迹线，第一导电迹线被缠绕以展现电感特性，并且具有耦合到半导体器件的第一端子的第一末端和耦合到半导体器件的第二端子的第二末端，（b）耦合在第一导电迹线的第一和第二末端之间的第一电容器，（c）第二导电迹线，第二导电迹线被缠绕以展现电感特性，并且具有耦合到半导体器件的第三端子的第一末端和耦合到半导体器件的第四端子的第二末端，第二导电迹线具有与第一导电迹线不同的尺寸和形状，（d）耦合在第二导电迹线的第一和第二末端之间的第二电容器，以及（e）围绕第一和第二导电迹线被缠绕以展现电感特性的第三导电迹线。