| 发明名称 |
异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F-和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+，Nb5+，Zr4+和Ti4+等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶。使用铂金坩埚生长。本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。 |
| 申请公布号 |
CN101092746B |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
| 申请号 |
CN200610148126.9 |
申请日期 |
2006.12.27 |
| 申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
严东生;谢建军;袁晖;廖晶莹;沈炳孚;童乃柱;邵培发;叶崇志;熊巍;李培俊;吴泓澍;展宗贵;陈良;朱翔宇 |
| 分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体，其特征在于掺杂的阴离子为F‑，掺杂量为100～8000ppm；阳离子为Sb3+，掺杂量为100～5000ppm；在此基础上掺杂Mo6+，V5+，Nb5+，Zr4+和Ti4+高价阳离子，离子掺杂量为0～10000ppm。 |
| 地址 |
200050 上海市定西路1295号 |
