| 发明名称 | 一种制作MOS器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制作MOS器件的方法，该方法在保持MOS器件的性能下，可制得小的漏/源处电容的MOS器件。在包括阱注入步骤和阈值注入步骤的MOS器件的制作中，提高阱注入离子能量使其高于预设阱注入离子能量和阈值注入采用扩散系数较小的离子注入可有效降低MOS器件的漏/源处电容。通过提高阱注入离子能量可主要降低漏/源与阱之间PN结靠近阱一侧的杂质离子浓度，阈值注入采用扩散系数小的离子可主要降低漏/源与阱之间PN结靠近漏/源一侧的杂质离子浓度，因此本发明方法可有效减少漏/源与阱之间PN结两侧的离子浓度，从而降低MOS器件漏/源处电容，提高MOS管高频工作特性，降低MOS管的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN101452854B | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN200710171574.5 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 施雪捷 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种制作MOS器件的方法，所述MOS器件的制作包括在提供的衬底上进行阱注入步骤、阈值注入和漏/源注入步骤，其特征在于：所述阱注入步骤中注入离子能量大于预设离子能量，及所述阈值注入步骤采用扩散系数小于阱注入离子的扩散系数的离子进行注入，其中，所述预设离子能量为320～340KeV。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||