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<p>저압력, 저산소 농도 조건으로의 플라즈마 산화 처리의 장점을 유지하면서, 막 두께의 패턴 소밀(疏密) 의존성이 적고, 균일한 막 두께로 실리콘 산화막을 형성한다. 플라즈마 처리 장치의 처리실내에서, 요철 패턴을 갖는 피처리체 표면의 실리콘에 처리 가스의 플라즈마를 작용시켜서 산화하고, 실리콘 산화막을 형성한다. 상기 처리 가스중의 산소의 비율이 0.1% 이상 10% 이하에서, 또한 압력이 0.133Pa 이상 133.3Pa 이하의 조건에서 상기 플라즈마를 형성한다. 상기 처리실내의 플라즈마 발생 영역과 피처리체와의 사이에, 복수의 관통 개구를 갖는 플레이트를 개재시켜서 처리를 행한다.</p> |
