Phase-Change Random Access Memory Device and Fabrication Method Thereof

摘要

개시되는 상변화 메모리 소자는 지정된 크기의 홀이 형성된 층간 절연막, 층간 절연막 상에 형성되는 점착 박막, 홀 내에 형성되는 하부전극 콘택 및, 하부전극 콘택 및 점착 박막과 접촉되는 상변화 물질층을 포함한다.