发明名称 MEMORY SENSING CIRCUIT AND METHOD FOR LOW VOLTAGE OPERATION
摘要 <p>감지 모듈은 비트 라인 결합에 대한 비트 라인을 최소화하기 위하여 정전압 조건하에서 결합된 비트 라인을 통하여 메모리 셀의 도전 전류를 감지하는 감지 증폭기를 사용하여 동작한다. 미리 결정된 기간에서 전압 강하의 변화에 의해 측정된 전용 캐패시터의 방전 속도는 도전 전류의 크기를 가리키기 위하여 사용된다. 전압은 비트 라인상에서 정전압 조건을 유지하기 위하여 하나의 회로에 의해 부과된 최소 레벨 이하로 강하할 수 없다. 전압 시프터는, 전압 강하 변화가 최소 레벨로 운용하지 않고 방전 속도를 적당하게 반영하도록, 방전 동안 전압을 승압하고 방전 후 전압을 승압하지 않기 위해 사용된다.</p>
申请公布号 KR101069750(B1) 申请公布日期 2011.10.04
申请号 KR20077013203 申请日期 2005.11.28
申请人 发明人
分类号 G11C7/00;G11C7/06;G11C11/56;G11C16/26;G11C16/28;G11C16/30 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人
主权项
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